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瑞芯微發(fā)布全新通用快充芯片:最高100W、可重復(fù)燒錄10萬次

作者: 編輯: 來源: 發(fā)布日期: 2021.05.24
信息摘要:
關(guān)注國產(chǎn)手機(jī)最新消息:近日,瑞芯微發(fā)布了兩顆全新的通用快充協(xié)議芯片,分別是RK835、RK837...

關(guān)注國產(chǎn)手機(jī)最新消息:近日,瑞芯微發(fā)布了兩顆全新的通用快充協(xié)議芯片,分別是RK835、RK837。


RK835通過了PD2.0、PD3.0、PPS認(rèn)證,編號TID 4325,支持QC 2.0、QC 3.0、QC 4.0、QC 4.0+、VOOC快充協(xié)議,能夠快速便捷與各類電源芯片對接,支持18W-100W輸出。


內(nèi)部集成ARM Cortex-M0內(nèi)核、60KB Flash、1KB RAM,從而實現(xiàn)對PD和其他專有快充協(xié)議的支持,可以承受10萬次以上的重復(fù)燒錄。


它可用于電源角色的USB Type-C和PD物理層,并支持E-Marker線纜供電,超低功耗模式下耗電量低于10μA。


核心特性:

- 內(nèi)部集成ADC,可連續(xù)檢測電壓、電流、溫度,以及通過GPIO引腳反饋的系統(tǒng)參數(shù)

- 所有的GPIO均可配置成邊緣觸發(fā)中斷,DP/DM引腳可配置UART模式和BC1.2模式

- 支持I2C接口和主從模式,集成輸出放電功能

- DP/DM/CC1/CC2引腳均支持24V耐壓,可有效防止損壞的數(shù)據(jù)線造成產(chǎn)品損壞,并內(nèi)置過流、過壓、過熱保護(hù)


RK835+AC-DC典型應(yīng)用電路

RK837除了通過PD2.0/PD3.0/PPS認(rèn)證(TID 5141),還通過了高通QC4+認(rèn)證,證書編號20210303222。

內(nèi)部集成Flash、RAM分別增加到64KB、2KB,同樣支持10萬次以上的重復(fù)燒錄。

核心特性:

- 支持USB Type-C和Type-A雙接口,支持I2C接口

- 集成NMOS驅(qū)動,VBUS開關(guān)管可使用低成本性能好的NMOS,內(nèi)部集成快速放電電路

- 內(nèi)部集成高精度ADC,可實現(xiàn)3-22V以10mV精度輸出,使用5mΩ取樣電阻,可實現(xiàn)0.1-12A以12mA精度恒流

- DP/DM/CC1/CC2引腳均支持26V耐壓,可有效防止損壞的數(shù)據(jù)線造成產(chǎn)品損壞,并內(nèi)置過流、過壓、過熱保護(hù)

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