繼VOOC閃充協議芯片之后，瑞芯微近日推出了兩顆全新的通用快充協議芯片，分別是RK835和RK837。

RK835 通用快充協議芯片

瑞芯微RK835是通過了PD2.0/PD3.0/PPS認證的PD3.0協議芯片，TID：4325。用于電源角色的USB Type-C和PD物理層，并且支持E-Marker線纜供電，在超低功耗模式下，芯片耗電量低于10μA。RK835內部集成Arm Cortex-M0內核，60K Flash和1K RAM來實現PD和其他專有協議，可支持10萬次以上的重復燒錄。RK835具備以下特性：

• 內部集成的ADC可以連續地檢測電壓，電流，溫度和通過GPIO引腳反饋的系統參數

• 所有的GPIO均可配置成邊緣觸發中斷，DP/DM引腳可配置UART模式和BC1.2模式

• 支持I2C接口和主從模式，內部集成了輸出放電功能

• DP/DM/CC1/CC2引腳均支持24V耐壓，可有效防止損壞的數據線造成產品損壞，并內置了過流、過壓和過熱保護

< 圖為RK835+AC-DC典型應用電路 >

RK835支持18到100W輸出，支持光耦反饋和PI帶I2C接口的電源IC，采用QFN3*3-16封裝。

RK837 通用快充協議芯片：支持恒壓恒流

瑞芯微RK837是通過了PD2.0/PD3.0/PPS認證的PD3.0協議芯片，TID：5141。同時，也通過高通QC4+認證，證書編號20210303222。RK837內部集成ARM Cortex-M0內核，64K Flash和2K RAM來實現PD和其他專有協議，可以支持10萬次以上的重復燒錄。具備以下特性：

• 支持USB Type-C和Type-A雙接口，支持I2C接口

• 集成NMOS驅動，VBUS開關管可使用低成本性能好的NMOS，內部集成快速放電電路

• 內部集成高精度ADC，可實現3-22V以10mV精度輸出，使用5mΩ取樣電阻，可實現0.1-12A以12mA精度恒流

• DP/DM/CC1/CC2引腳均支持26V耐壓，可有效防止損壞的數據線造成產品損壞，芯片還內置了過流、過壓和過熱保護

< 圖為RK837應用電路，支持1A1C輸出，

采用QFN4*4-24封裝>

瑞芯微的兩款通用快充協議芯片，均采用了Arm Cortex-M0核心和大容量Flash，可以支持10萬次以上的重復燒錄，方便客戶根據產品更換協議；均具備數字I2C接口，支持豐富的主流快充協議，能夠快速便捷的與各類電源芯片對接。同時具備完善的保護功能，引腳支持過壓保護，芯片內部支持完善的保護功能，可實現簡單可靠的適配器設計。